Исследование электрических и оптических свойств p-n переходов в β-модификации карбида кремния

Общей целью реферируемой работы и явилось путем комплексного
исследования ряда взаимосвязанных электрических
и оптических свойств р-п переходов изучить основы механизма
неравновесных процессов -в ^-модификации карбида кремния,
а также выяснить технические возможности З-БЮ как
материала для новых полупроводниковых приборов (выпрямители,
терморезисторы, фотоэлементы, фотодиоды и импульсные
источники света). Диссертация отражает одно из
направлений в цикле исследования свойств и применения карбида
кремния в полупроводниковой технике, проводимых в
проблемной лаборатории полупроводников Киевского ордена
Ленина политехнического института.